Залежність густини остовних одноелектронних станів атомів карбону (C1s) від їх положення у вуглецевому нанокластері С96 та у поліароматичній молекулі С96Н24

  • О. С. Карпенко Інститут хімії поверхні ім. О.О.Чуйка Національної академії наук України
  • В. В. Лобанов Інститут хімії поверхні ім. О.О.Чуйка Національної академії наук України
  • М. Т. Картель Інститут хімії поверхні ім. О.О.Чуйка Національної академії наук України
Ключові слова: графеноподібні нанокластери гексагональної форми, поліциклічний ароматичний вуглеводень, густина електронних станів, зсув C1s остовного рівня, теорія функціоналу густини, дефектвмісний нанокластер, моновакансія, гаусова апроксимація

Анотація

Вуглецеві нанокластери (ВНК) гексагональної форми, обмежені тільки зигзагоподібними краями з двократно та трикратно координованими атомами Карбону, володіють підвищеною реакційною здатністю. Не дивлячись на високу симетрію (D6h) таких систем, атоми Карбону в них займають нееквівалентні позиції. У зв’язку з цим постає питання щодо визначення таких їх фізико-хімічних характеристик, чисельне значення яких можна пов’язати з положенням у кластері. Наявність такої характеристики разом з простотою її обчислення дає змогу передбачити властивості нанокластерів одержаних з ВНК, введенням в них одно- та багатоатомних вакансій, або заміщенням атомів Карбону електронодонорними чи електроноакцепторними атомами. До такої характеристики відноситься спектр одноелектронних енергій, максимуми в якому однозначно характеризують атоми Карбону певного типу.

Пропонована робота присвячена квантовохімічним розрахункам спектрів одно-електронних енергій ВНК С96 гексагональної форми в основному квінтетному (мултиплетність, М=5) електронному стані та аналогічної за будовою поліароматичної молекули (ПАМ) С96Н24, а також їх похідних з однією та двома моновакансіями. Усі розрахунки виконані методом теорії функціоналу електронної густини із залученням валентно-розщепленого базисного набору 6-31 G(d, p). Системи з відкритими оболонками розглядалися з використанням обмінно-кореляційного функціоналу UB3LYP. Одержані спектри розкладалися по набору гаусових функцій.

Розкладання по гаусовим функціям теоретично розрахованого спектра одно-електронних станів в області енергії остовного рівня С1s засвідчив про наявність шести піків, кожен з яких можна віднести до певного типу атомів Карбону. Пік з найвищою енергією зв’язування (-285.57 еВ) зумовлений внесками від С1s остовного стану двократно координованих атомів Карбону крайового циклічного ланцюжка. С1s орбіталі атомів центрального гексагона (ЦГ) та I циклічного ланцюжка утворюють делокалізовані в різних ділянках кластера молекулярні орбіталі (МО).

Аналогічний спектр ПАМ С96Н24 дещо зсунутий в область нижчих енергій зв’язування остовного С1s-електрона і містить лише два чітко визначених піки. Пік з вищою енергією зв’язування (-284.36 еВ) породжується 1s-станами атомів ЦГ та атомами I циклічного ланцюжка, які зв’язані з атомами ЦГ.

Встановлена відмінність у спектрах густини одно-електронних станів в інтервалі енергії остовного рівня С1s для ВНК С96 (М=5) та ПАМ С96Н24, очевидно, обумовлена наявністю двох слабко зв’язаних π-систем в першому з них та однієї кон’югованої системи в ПАМ.

Спектр густини одно-електронних станів дефектвмісного кластера С96-1(1) (М=3) (з кластера С96 видалено один атом ЦГ) породжується станом С1s атомів Карбону II циклічного ланцюга, які розміщуються на різних відстанях від центру кластера. Пік найнижчої інтенсивності (-284.63 еВ) виникає у спектрі як відображення появи у кластері С96-1(1) двократно координованих атомів Карбону, які оточують моно вакансію.

Із аналізу спектра густини одноелектронних станів кластера С96-2(1) в інтервалі енергії остовного рівня С1s видно, що двократно координовані атоми Карбону, зосереджені навколо двох моновакансій, суттєво нееквівалентні. Якщо на двох з них локалізована МО з найнижчою енергією зв'язування, то на третіх атомах, по одному навколо кожної моновакансії, – з найвищою.

Спектр одноелектронних станів дефектвмісних молекулярних систем з однією С96‑1(1)Н24 та двома С96‑2(1)Н24моновакансіями подібні до аналогічного спектра ПАМ С96Н24. В першому з них з’являється один додатковій максимум, обумовлений С1s атомів, які оточують моновакансію. В другому спектрі присутні два додаткових максимуми, кожен з яких породжується остовними С1s станами атомів, сусідніх з індивідуальними вакансіями.

Посилання

Karpenko O.S., Lobanov V.V., Kartel M.Т. Properties of hexagon-shaped carbon-nanoflakes. Chem. Phys. & Tech. Surf. 2013. 4(2): 123. https://doi.org/10.15407/hftp04.02.123

Karpenko O.S., Lobanov V.V., Kartel M.Т. Structure and properties of hexagon-like carbon nanoflakes containing one and two single vacancy. Surface. 2013. 5(20): 14. [in Russian]

KarpenkoO.S., LobanovV.V., KartelM.Т. Structure and properties of hexagonal graphene-like C95N carbonnanoflakes. Chem. Phys. & Tech. of Surf. 2016. 7(2): 157. [in Russian] https://doi.org/10.15407/hftp07.02.157

Karpenko O.S., Lobanov V.V., Kartel M.Т. W. Bo. Reactivity of defect-free and vacancy-containing hexagonal graphene nanoflakes according to quantum chemistry approach. Int. J. Cur. Res. (IJCR). 2017. 9(8): 55598.

Schmidt M.W., Baldridge K.K., Boatz J.A. et al. General atomic and molecular electronic structure system. J. Comput. Chem. 1993. 14(11): 1347. https://doi.org/10.1002/jcc.540141112

Kohn W., Sham L.S. Self-consistent equation including exchange and correlation effect. Phys. Rev. A. 1965. 140(4): 1133. https://doi.org/10.1103/PhysRev.140.A1133

Parr R.G., Yang W. Density-functional theory of atoms and molecules. (Oxford: Oxford Univ. Press., 1989).

Becke A.D. Density-functional thermochemistry. III. The role of exchange. J. Chem. Phys. 1993. 98: 5648. https://doi.org/10.1063/1.464913

Lee C., Yang W., Parr R.G. Development of the Colle-Salvetti correlation-energy formula into a functional of the electron density. Phys. Rev. B.1988. 37(2): 785. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.37.785

Yamada Y., Kim J., Matsuo S., Sato S. Nitrogen-containing graphene analyzed by X-ray photoelectron spectroscopy. Carbon. 2014. 70: 59. https://doi.org/10.1016/j.carbon.2013.12.061

Yamada Y., Yasuda H., Murota K., Nakamura M, Sodesawa T., Sato S. Analysis of heat-treated graphite oxide by X-ray photoelectron spectroscopy. J. Mater. Sci. 2013. 48: 8171. https://doi.org/10.1007/s10853-013-7630-0

Опубліковано
2022-11-30
Як цитувати
Карпенко, О. С., Лобанов, В. В., & Картель, М. Т. (2022). Залежність густини остовних одноелектронних станів атомів карбону (C1s) від їх положення у вуглецевому нанокластері С96 та у поліароматичній молекулі С96Н24. Поверхня, (14(29), 63-77. https://doi.org/10.15407/Surface.2022.14.063
Розділ
Теорія хімічної будови і реакційної здатності поверхні.